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我国科学家突破硅基闪存器件尺寸极限
相关研究成果12日发表于国际期刊《自然·电子学》。研究人员通过严格的直流存储窗口、交流脉冲存储性能测试，证实了二维新机制闪存在1Kb存储规模中，在纳秒级非易失编程速度下的良率可高达98%， 这一良率高于国际半导体技术路线图对闪存制造89.5%的良率要求。该器件是目前国际最短沟道闪存器件，突破了硅基闪存物理尺寸极限，约15纳米。　　研究人员介绍，此项研究工作将推动超快闪存技术的产业化应用。
科学 闪存 2024/8/14 14:21:18
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